Загрузка...
Категории:

Загрузка...

Реферат До циклу робіт „Нові механізми електронного транспорту в приладових структурах та омічних контактах на основі широкозонних напівпровідників

Загрузка...
Поиск по сайту:


Скачать 144.8 Kb.
Дата25.03.2012
Размер144.8 Kb.
ТипРеферат
Подобный материал:

Реферат

До циклу робіт „Нові механізми електронного транспорту в приладових структурах та омічних контактах на основі широкозонних напівпровідників”

В.В. Коротєєва, Я.Я. Кудрика, В.М. Шеремета, В.В. Шинкаренка, що були виконані протягом 01.01.2008 – 28.02.2011 р.р.


Мета циклу робіт: створення фізичних основ розрахунку нових типів приладових структур та контактів до них для мікрохвильової, в тому числі терагерцової електроніки, включаючи методи керування їх параметрами і експрес-діагностику.


Наукова новизна циклу робіт полягає в створенні основ теорії балістичного електронного транспорту носіїв заряду в коротких n+-n(i)-n+ нітридгалієвих діодах та струмопереносу в омічних контактах до них, а також методів та засобів їх електрофізичної діагностики, придатних для розробки елементної бази твердотільної НВЧ електроніки, що експлуатується в екстремальних умовах.

Методом Монте-Карло проведено дослідження електричних характеристик нітридгалієвих зразків в сильних електричних полях.

Отримано низку фундаментальних результатів:

  • в інтервалі прикладених полів 3-10 кВ/см в GaN зразках виявлено специфічний квазібалістичний режим електронного транспорту, що пов’язаний з формуванням сильно-анізотропної функції розподілу носіїв;

  • в рамках досліджень балістичного електронного транспорту в субмікронних діодах показано, що електричні характеристики балістичних діодів винятково чутливі до електричних властивостей контактів та механізмів інжекції носіїв в активну область діода;

  • вольт-амперна характеристика балістичних n+-n(i)-n+ діодів має сильно-нелінійну поведінку, що обумовлена скінченою інжекційною властивістю контактів. В режимі насичення вольт-амперної характеристики електронна система виявляє нестійкість і в діапазоні частот 0,5-2 ТГц виникає від’ємний активний опір. На базі каскаду балістичних діодів розроблена модель генератора терагерцового випромінювання;

  • виявлено новий механізм балістичної нестійкості електронів в області частот сильної дисперсії діелектричної проникливості, обумовленої оптичними коливаннями гратки;

  • механізм металевої провідності по струмовим шнурам атомних розмірів, локалізованих на дислокаціях в приконтактній області напівпровідника;

  • механізм релаксації внутрішніх механічних напруг (ВМН) в контактах Ме-напівпровідник та МДН структурах з high-k діелектриками стимульований електромагнітним (мікрохвильовим) випромінюванням шляхом висхідної дифузії металів проти градієнту концентрації в приконтактній області;

  • механізми радіаційно-стимульованої деградації при опроміненні надпороговими механізмами γ-радіації контактних систем Au-TiBx-Al-Ti-n-GaN шляхом розкладу тернарної фази Ti2AlN.


Практична значимість результатів полягає в:

  • розрахунку теоретично обґрунтованої конструкції n+-n(i)-n+ діоду терагерцового діапазону на основі з’єднань А3N;

  • розробці термостійких контактних систем з дифузійними бар’єрами до GaN та широкозонних напівпровідників з високою щільністю дислокацій в приконтактній області, що використовуються для створення приладів мікрохвильової електроніки;

  • створення атермічних методів гетерування шляхом використовування дозованого мікрохвильового випромінювання, що були підтверджені експериментально в контактних системах МДН з high-k діелектриками та просторово неоднорідних системах на основі з’єднань А3В5, А3N та SiC, що використовуються при створенні приладів для екстремальної електроніки;

  • експериментальному дослідженню механізмів деградації МДН структур з high-k діелектриками під впливом фонового опромінення малопотужним мікрохвильовим полем;

  • розробці та апробації в експерименті методів та апаратури для вимірювання температурної залежності контактного опору та прогнозування надійності мікрохвильових діодів.


Для того, щоб вище зазначене втілити в сучасну реальність, необхідно було вирішити комплекс фізико-технологічних та теоретичних задач. До них відносяться:

- теоретичні задачі, суть яких полягала в розробці адекватних моделей електронного струмопереносу в нітрид-галієвих структурах в сильних електричних полях та субмікронних діодах на основі А3В5 сполук, розрахунку базових стаціонарних (розподілів електричного поля, концентрації носіїв, потенціального профілю та вольт-амперних характеристик) та високочастотних характеристик (частотної залежності імпедансу) діодів в режимах дифузійного та балістичного електронного транспорту; дослідженнях впливу на електричні характеристики діодів сильно-нерівноважної функції розподілу носіїв, вбудованого об’ємного заряду, дисперсії діелектричної проникливості, інжекційних властивостей контактів; створенню нової концепції струмопереносу в омічних контактах з високою щільністю дислокацій в приконтактній області напівпровідника, характерної для GaN, вирощеного на чужорідній підкладці; оптимізації параметрів активних та контактних елементів діодних структур для функціонування їх в терагерцовій області спектру.

- фізико-технологічні задачі, суть яких полягала в створенні термостійких контактних систем з дифузійними бар’єрами на основі аморфних фаз впровадження до GaN, широкозонних напівпровідників А3В5 та SiC; створенні атермічних методів гетерування в тому числі з використанням НВЧ випромінювання для керування властивостями контактних систем на основі GaN, сполук А3В5, SiC та МДН структур з high-k діелектриками; розробці та створенні методу і діагностичних засобів вимірювання температурної залежності контактного опору а також апаратури для прогнозування надійності мікрохвильових діодів.

Виняткова електрична стійкість нітридних матеріалів (поля електричного пробою сягають МВ/см) дає можливість прикладати до нітридних структур винятково сильні електричні поля та досягати значних дрейфових швидкостей (>2x107 см/c). Разом з малими часами релаксації носіїв нітридні матеріалі можуть служити основою для нового покоління силової та високочастотної (терагерцової) мікроелектроніки. Оперуючи з сильними електричними полями (для нітридів типово десятки, або навіть сотні кВ/см), необхідно враховувати сильну нерівноважність електронної підсистеми. В рамках теоретичних досліджень нітридів за допомогою метода Монте-Карло були проведені розрахунки стаціонарних характеристик GaN в широкому діапазоні прикладених електричних полів 0-80 кВ/см.

В інтервалі прикладених полів 3-10 кВ/см в GaN зразках виявлено специфічний стримінговий режим електронного транспорту, що пов’язаний с формуванням сильно-анізотропної функції розподілу носіїв. В режимі стримінгу має місце квазіперіодичний синхронний рух електронів в імпульсному просторі, що супроводжується періодичним випромінюванням оптичних фононів.

Показано, що формування ефекту стримінга можна ідентифікувати по характерній поведінці залежностей дрейфова швидкість –поле та середня енергія електронів-поле. В режимі стримінгу дрейфова швидкість та середня енергія носіїв насичується до характерних величин та , відповідно (де см/с меВ для GaN). В більших прикладених полях 20-80 кВ/см режим стримінгу руйнується, а функція розподілу носіїв близька до зсунутого Максвелівського розподілу.

Виявлено, що оптимально стримінг реалізується при температурах 10-150 К, електронних концентраціях 1015-1016 см-3 та слабо польовій рухливості носіїв 2-10х 103 см2/Вс.

Було показано, що режим стримінгу супроводжується виникнення, від’ємної динамічної диференційної провідності резонансного типу. Тобто виникають частотні вікна в яких електронна система може ефективно підсилювати зовнішній змінний сигнал. А в резонаторних системах із зворотним зв’язком нітридний елемент в режимі стримінгу може генерувати високочастотне випромінювання. Типово для GaN це інтервал частот 0.5-2 ТГц. Особливістю цього механізму нестійкості є те, що амплітуда і частотний діапазон підсилення можна ефективно регулювати амплітудою прикладеного електричного поля. Теоретичні дослідження ефекту стримінга та виникнення від’ємної динамічної диференційної провідності в сильних електричних полях в нітридних структурах має важливий прикладний аспект, оскільки створюється фундамент для розробки твердотільних джерел терагерцового випромінювання з електричною накачкою та простою перебудовою робочих частот і можливістю функціонування в широкому температурному інтервалі.

Паралельно проводились дослідження виникнення електричної нестійкості при збудженні плазмових коливань в балістичних субмікронних діодах на основі високоякісний А3В5 матеріалів. Вікна від’ємного активного опору або адмітанса з’являються на характерних частотах прольоту електрона від катоду до анода. Такий тип нестійкості має назву ефект прольотного резонансу. Причиною виникнення ефекту прольотного резонансу являється кореляція / екранування руху носіїв просторовим зарядом базової області. Цей механізм, як і попередній, допускає перебудову робочих частот генерації амплітудою прикладеного зміщення.

Вперше була побудована комплексна теорія балістичних напівпровідникових n+-n(i)-n+ діодів, що включала в себе аналіз електронного транспорту в контактних областях, вплив інжекційних властивостей контактів на стаціонарні та високочастотні характеристики прольотної області діода та діода в цілому. Також виявлений новий механізм балістичної нестійкості електронів в області частот сильної дисперсії діелектричної проникливості, обумовленої оптичними коливаннями гратки.

В рамках методу Монте-Карло, що самоузгодженно враховував розподіл електричного потенціалу в базі (активної області діода) були окреслені геометричні параметри n+-n(i)-n+ діодних структур на основі GaAs, InAs матеріалів, діапазони робочих температур та прикладених електричних напруг при яких реалізується балістичний режим транспорту. Отримано, що параметр балістичності електронів досягає значень (>90%) при довжинах бази <0.3 мкм, в інтервалі температур 10-77 К при спадах напруг <0.03 В для InAs діодів.

Показано вперше, що на відміну від вакуумних діодів, вольт-амперна характеристика напівпровідникових балістичних діодів є сильно-нелінійної з характерною ділянкою квазінасичення. Ділянка квазінасичення струму відповідає напругам, коли зникає віртуальний катод в базі. При цьому характерні струми протікання виявляються по порядку величин кА/см2.

В режимі квазінасичення вольт-амперних характеристик були розраховані спектри високочастотного імпедансу бази, контактних областей та діода в цілому.

Виявлено, що характерна частотна залежність імпедансу має осцилюючий та знакозмінний характер з частотними вікнами від’ємного активного опору в області частот 0.7-2 ТГц для довжини бази 0.3 мкм та в області частот 0.4-1.5 ТГц для для довжини бази 0.6 мкм.

Для ультра-коротких діодів з довжиною бази 0.05 мкм виявлено новий механізм сильного збудження плазмових нестійкостей, в області частот близьких до оптичних фононів. Цей механізм пов’язаний з резонансним підсиленням балістичної електронної плазми оптичними коливаннями гратки.

Також показано, що електричні властивості контактів сильно впливають як на стаціонарні так і на високочастотні характеристики балістичних діодів. А саме інжекційні властивості контактів відповідальні за величини струмів протікання в балістичних діодах, які в свою чергу обумовлюють амплітуди від’ємного активного опору і величину підсилення терагерцового сигналу. З іншого боку в контактних областях існує ефективне затухання високочастотного сигналу, що може призвести до придушення розвитку нестійкості.

В рамках теорії балістичних діодів розроблені рекомендації для зменшення негативного впливу контактів на прольотний механізм збудження електронної плазми. Показано, що для забезпечення ефективного підсилення терагерцового випромінювання в активній області діода ширини контактних областей мають бути менші прольотної області і мати невеликі електронні рухливості <1000 cm2/Вс.

Для отримання значних коефіцієнтів підсилення терагерцового випромінювання, достатніх для збудження сучасних резонаторних систем вперше запропонована каскадна структура n+-i-n+----i-n+ балістичних діодів (аналог напівпровідникової надгратки).

Загалом кажучи розробки терагерцових джерел випромінювання, що використовують збудження електричних нестійкостей в сильних електричних полях як на основі нітридних сполук так і балістичних нестійкостей в коротких діодах потребують вирішення проблеми контактів. А саме створення термічно та хімічно стійких, недеградуючих, омічних контактів з низьким коефіцієнтом поглинання випромінювання в терагерцовій області спектру. Основні зусилля запропонованого циклу робіт були спрямованні саме на вирішення цієї проблеми.

Проведені в циклі досліджень теоретичні та експериментальні дослідження контактних систем основані на розгляді напівпровідникового активного елементу як гетерогенної структури, що складається з різних твердих фаз: напівпровідник, діелектрик, метал. Гетерогенність напівпровідникової приладової структури, неоднорідність її різних областей, наявність внутрішніх механічних напруг обумовлюють термодинамічну нерівноважність такої структури.

Тому питання відтворюваності електрофізичних параметрів контактних систем до добре вивченого модельного та одночасно широко використовуваного в промисловості матеріалу кремнію, а також до сполук А3В5, SiC та принципово структурно неоднорідному GaN, вирощеному на сапфірі, розглядались в циклі досліджень на основі теоретичного аналізу та експериментальних досліджень структурного та фазового станів приладових структур, якості границь розділу, ступеня термодинамічної нерівноважності та механізмів процесу релаксації до більш рівномірного стану в порівнянні з вихідним, що проявляється при різних активних впливах (швидкі термічній обробці, опроміненню гамма-квантами 60Со, мікрохвильового опромінення).

В результаті теоретичних і експериментальних досліджень фізичних процесів в гетерогенних контактних структурах знайдено, що механізм формування контактного опору контакту метал-напівпровідник повинен реалізовуватись в першу чергу, в широкозонних напівпровідниках з великою щільністю дислокацій в контакті, його суттєвою відмінністю від усіх відомих механізмів струмопереносу в контактах є протікання струму через ділянки збагачені носіями, а не збіднені, як це прийнято в відомих теоріях. Гарне співпадіння розвинутої теорії з експериментом, що пояснює не тільки ріст контактного опору зі збільшенням температури вимірювання, але також і особливостей як слабкої залежності контактного опору від рівня легування, сильної залежності величини контактного опору та точки мінімуму температурної залежності контактного опору від щільності дислокацій, одночасно свідчать в його користь. При цьому підтвердження отримано як для контактів на основі напівпровідників А3В5, так і для контакту до сильнолегованого кремнію.

Ці експериментальні результати виявилось можливим отримати завдяки розробці та створенню пристрою для вимірювання параметрів омічного контакту до напівпровідника (патент України на корисну модель № 55762 від 27.12.2010) та апарату для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (патент України на корисну модель № 47386 від 25.01.2010), апробованого також для діагностики ряду мікрохвильових діодів на основі сполук А3В5, суть яких полягає в автоматизованій неруйнівній експрес- діагностиці контактних систем та діодів без використання еталонних зразків. Ці діагностичні засоби пройшли апробацію в умовах промислового виробництва при виконанні новітніх розробок елементної бази мікрохвильової електроніки в Державному підприємстві НДІ „Оріон”.

На основі аналізу методів вимірювання контактного опору та тестових структур обрано оптимальну конфігурацію лінійних та радіальних шаблонів використання яких показало, що застосування методу TLM з лінійною і радіальною геометрією контактних площадок дозволяє вимірювати питомий контактний опір з відносною похибкою 16% і 28% відповідно. З врахуванням доступності технології по створенню контактних тестових структур ці методи є оптимальними для вимірювання питомого контактного опору.

Встановлено, що шари бориду титану і бориду цирконію в контактах Ti-Al-TiB2-Au і TiBx(ZrBx)-Au до n-GaN залишаються аморфними, не взаємодіють з шарами металізації і напівпровідником і ефективно протидіють процесам масопереносу при швидкій термічній обробці тривалістю 30 с до температури 900°С, внаслідок чого і омічний і бар’єрний контакти залишаються стійкими, на відміну від широко використовуваних контактів з полікристалічною металізацією Ti-Al-Ti-Au, що деградує після швидкої термічної обробки при Т=700°С.

Встановлена радіаційна стійкість шарів бориду титану і цирконію в контактах Ti-Al-TiBx-Au і TiBx(ZrBx)-Au до n-GaN і в ZrBx-Au до n-AlGaN-n-GaN до доз 106 Гр, який при цьому залишається аморфним, не створює сполук з елементами металізації і протидіє їх масопереносу, внаслідок чого контакти залишаються стійкими при цих обробках.

Виявлено зниження на два порядки питомого контактного опору омічного контакту Ti-Al-TiBx-Au до n-GaN і струмів витоку в контактах ZrBx-Au до n-AlGaN-n-GaN під дією γ-опромінення до дози 106 Гр, що пов’язано із структурно-домішковим впорядкуванням на межі розділу метал-напівпровідник.

Встановлений дислокаційний механізм струмопереносу в омічних контактах Ti-Al-TiBx-Au до n-GaN за рахунок шунтів, які можуть формуватися включеннями галію, локалізованими на дислокаціях.

Виявлена і обґрунтована залежність зміни електрофізичних параметрів від зміни механічних напруг в контактній структурі Au-TiBx-Al-Ti-n-GaN під дією НВЧ опромінення. Мікрохвильова обробка призводить до переходу в омічному контакті від металевої провідності, обумовленої шунтами, густина яких порівняна з густиною дислокацій в приконтактній області, до тунельної. При цьому відбувається гомогенізація електрофізичних параметрів по площині в омічному контакті Ti-Al-TiBx-Au до n-GaN.

Встановлено, що струмоперенос в бар’єрній контактній структурі Au-TiBx-n-GaN в діапазоні температур 77-350 К відбувається за рахунок тунельного механізму, природа якого пов’язана з дислокаціями в GaN, і дислокаціями, що виникають на межі розділу метал-GaN, а в області температур 350-600 К відбувається на рахунок надбар’єрного механізму.

Встановлено механізми деградації бар’єрних контактів TiBx(ZrBx)-Au до n-GaN при γ-опроміненні 60Со дозами, вищими 106 Гр, пов’язані з процесами зростання дифузійної проникності шарів металізації аж до пороутворення.

Показано також, що під впливом НВЧ опромінення спостерігаються немонотонні зміни параметрів МДН структур, з відтворюваною тенденцією, що залежить від технологічної передісторії структур, а саме:

  • встановлено, що зміни параметрів МДН структур відбуваються внаслідок релаксації внутрішніх механічних напруг на межі діелектрик-напівпровідник;

  • запропоновано механізм покращення приповерхневих властивостей межі розділу Та2O5-Si при мікрохвильовій обробці, що полягає в її структурно-домішковому впорядкуванні, що супроводжуються релаксацією ВМН та масопереносом нанорозмірного шару SiOx, який виникає на межі розділу в процесі формування плівки Та2О5;

  • показано, що зменшення ВМН у вихідних структурах шляхом легування діелектричної плівки Та2О5 титаном приводить до зменшення впливу НВЧ опромінення на МДН структури, за рахунок зменшення різниці в параметрах гратки Та2О5 та Si, а отже зменшення чутливості МДН структури до зміни ВМН на межі розділу Та2О5:Ті-SiOxTiy-Si.


Таким чином в циклі робіт „Нові механізми електронного транспорту в приладових структурах та омічних контактах на основі широкозонних напівпровідників” представлені постановка та розв’язок нових традиційних задач в області розрахунку та конструювання коротких діодів терагерцового діапазону на основі широкозонних напівпровідників, в тому числі GaN та створення високонадійних контактних систем до широкого набору мікрохвильових активних елементів.

Результати циклу робіт мають значення для розвитку теорії твердотільних НВЧ приладів та постановки в Україні робіт по створенню елементної бази терагерцового діапазону частот на основі непрямозонних напівпровідників, в тому числі групи А3N.

Результати досліджень: за темою роботи викладено в 37 статтях (в тому числі 13 в зарубіжних журналах) та 9 тезах доповідей. Роботи авторів процитовано в 33 наукових журналах, загальний індекс цитування публікацій складає 2 (згідно баз даних Scopus), h-індекс = 2. Отримано 2 патента України на корисну модель.

Загальна кількість публікацій авторів 198.


Автори:


Коротєєв В.В.


Кудрик Я.Я.


Шеремет В.М.


Шинкаренко В.В.

Скачать, 124.25kb.
Поиск по сайту:

Добавить текст на свой сайт
Загрузка...


База данных защищена авторским правом ©ДуГендокс 2000-2014
При копировании материала укажите ссылку
наши контакты
DoGendocs.ru
Рейтинг@Mail.ru