Загрузка...
Категории:

Загрузка...

Реферат циклу наукових робіт „Оптимізація складу середовищ вирощування оксидних та галоїдних монокристалів молодшого наукового співробітника Інституту сцинтиляційних матеріалів нан україни Галеніна Євгенія Петровича,

Загрузка...
Поиск по сайту:


Скачать 333.6 Kb.
Дата09.03.2012
Размер333.6 Kb.
ТипРеферат
Подобный материал:

Реферат

циклу наукових робіт „Оптимізація складу середовищ вирощування оксидних та галоїдних монокристалів” молодшого наукового співробітника Інституту сцинтиляційних матеріалів НАН України Галеніна Євгенія Петровича, інженера-технолога 1-ї категорії Інституту монокристалів НАН України Калтаєва Халіла Шамсаддин-огли, інженера 1-ї категорії Інституту монокристалів НАН України Коневського Павло Вячеславовича, кандидата фіз.-мат. наук, старшого наукового співробітника Інституту сцинтиляційних матеріалів НАН України, Сідлецького Олег Цесаревича, висунутого на здобуття премії Президента України для молодих вчених.


Структура циклу

Цикл наукових робіт виконувався протягом 2004 – 2008 років в Інституті монокристалів НАН України та Інституті сцинтиляційних матеріалів НАН України. Цикл складається з 17 публікацій, з них 15 статей у наукових фахових журналах, 2 патенти України. Крім того, результати робіт доповідались на 4 вітчизняних та 16 міжнародних конференціях, та були опубліковані в 36 тезах доповідей. Об’єм поданих наукових праць - 125 друкованих сторінок.


Короткий зміст циклу робіт

У поданому циклі з 17 наукових праць наведені результати теоретичних та експериментальних досліджень впливу складу газової атмосфери вирощування та відпалу на особливості отримання ряду оксидних та галоїдних монокристалів із розплаву та їх функціональні характеристики.

Авторами циклу Галеніним Є.П, Калтаєвим Х.Ш.-о., Коневським П.В., Сідлецьким О.Ц. досліджений вплив атмосфери вирощування на динаміку тепломасопереносу та стабільність умов кристалізації при вирощуванні галоїдних [1-7] та оксидних [14-17] монокристалів із розплаву. Вивчений механізм впливу газового середовища на стехіометрію розплаву, оптичні структурні та сцинтиляційні характеристики вирощуваних кристалів [9, 10, 15]. Вивчений вплив окислювального потенціалу середовища на зарядовий стан активаторів люмінесценції та рівномірність їх розподілу в великогабаритних монокристалах [8, 11]. Визначений оптимальний склад газової атмосфери вирощування та відпалу, оптимізовано методи отримання із розплаву великогабаритних оксидних монокристалів з покращеними характеристиками [10-14, 16, 17].

Усі основні результати циклу робіт одержані вперше, є оригінальними і надрукованими в провідних наукових виданнях, доповідались на вітчизняних та міжнародних наукових конференціях, зокрема, LUMDETR 2006 (Україна), НКРК-2006, 2008 (Росія), ICCM-2005, 2007 (Україна), CGCT-4 (Японія), IWCGT-4 (Швейцарія), ИСМАРТ-2008 (Україна) та інші.

Загальна кількість опублікованих робіт авторів по даній тематиці складає 24 статті та 8 патентів, із них 8 публікацій в журналах, що містяться в базі даних SCOPUS, Загальний ідентифікатор SJR складає 0.671, загальний індекс цитування статей претендентів за темою роботи – 8.32. Загальна кількість наукових публікацій авторів циклу складає 35 статей та 10 патентів України, з них 14 публікацій в журналах, що містяться в базі даних SCOPUS. Сумарний SJR = 0.950, індекс цитування = 10.24.


Актуальність та практична значимість роботи

Дослідження процесів взаємодії монокристалів діелектричних матеріалів із середовищем їх отримання мають актуальність у зв’язку із розвитком медичної та космічної техніки, оптоелектроніки, фізики високих енергій. Зростаючі об’єми споживання монокристалів цими галузями науки та техніки вимагають подальшої оптимізації методів їх отримання із наперед заданими розмірами та формою, а також покращеними функціональними характеристиками, такими як прозорість, світловий вихід та роздільча здатність, механічна стійкість. При цьому, одним із вирішальних факторів при отриманні якісних монокристалів заданого розміру та форми є контроль окислювально-відновного потенціалу середовища вирощування.

Монокристали складних оксидів Gd2SiO5 (GSO:Ce), Bi4Ge3O12 (BGO) та лужно-галоїдні монокристали CsI(Na) є ефективними сцинтиляторами для реєстрації γ-випромінювання та теплових нейтронів, α- та β-частинок. Дані матеріали використовуються в приладах для медичної діагностики, геологічної розвідки, а також в експериментах з фізики високих енергій. Монокристали на основі сапфіру Al2O3 є відомим оптичним та конструкційним матеріалом, що використовується в медицині, оптоелектроніці, а також при виготовленні виробів, що витримують екстремальні механічні навантаження. Проте, до початку робіт даного циклу недостатньо вивченим залишалось питання взаємодії ростового середовища із поверхнею монокристалу та розплавом в умовах збільшення розмірів зливків та тривалості процесу вирощування, а також постійного підвищення вимог до оптичних, сцинтиляційних та механічних властивостей кристалів. Внаслідок цього великогабаритні оксидні та галоїдні монокристалах, що вирощуються в Інституті монокристалів НАН України та Інституті сцинтиляційних матеріалів НАН України мали значну кількість макродефектів в об’ємі, недостатньою була відтворюваність характеристик монокристалів, значна частина їх об’єму була непридатною для виготовлення оптичних та сцинтиляційних елементів. Тому становило інтерес вивчення впливу складу та тиску середовища отримання на морфологію кристалів та їх характеристики, динаміку тепло- і масопереносу в системі, фазовий склад розплаву та вирощуваного кристалу, рівномірність розподілу та зарядовий стан активаторних іонів.


Метою циклу наукових робіт “Оптимізація складу середовищ вирощування оксидних та галоїдних монокристалів” є розробка методів відтворюваного отримання оксидних та галоїдних монокристалів із наперед заданою морфологією та функціональними характеристиками.


Для досягнення цієї мети необхідно було вирішити такі основні завдання:

- дослідити динаміку тепломасопереносу та стабільність умов кристалізації в залежності від складу середовища вирощування при отриманні великогабаритних монокристалів;

- визначити механізми впливу газового середовища на розстехіометрію розплаву, утворення включень та структурних дефектів в кристалах, а також шляхи їх мінімізації;

- вивчити вплив вмісту кисню в атмосфері вирощування на зарядовий стан активаторів та рівномірність їх розподілу в великогабаритних монокристалах;

- з’ясувати можливості збільшення ресурсу ростового устаткування шляхом оптимізації складу ростового середовища.


Наукова новизна

  • показаний вплив складу середовища вирощування на динаміку тепло- і масопереносу та стабільність процесу кристалізації великогабаритних кристалів CsI(Na), BGO;

  • визначені механізми впливу газового середовища на морфологію, структурні і оптичні властивості кристалів GSO:Ce, BGO, GSO:Ce, Al2O3, та стехіометрію розплавів даних матеріалів;

  • показана можливість керування рівномірністю розподілу активаторних іонів по об’єму великогабаритних кристалів GSO:Ce за допомогою оптимізації середовища їх вирощування;

  • розроблені методи збільшення ресурсу ростового устаткування в 2 – 3 рази за допомогою оптимізації складу газового середовища;

  • визначені оптимальні композиції середовищ отримання СsI(Na), BGO, GSO:Ce, сапфіру для мінімізації кількості включень та структурних дефектів в монокристалах і поліпшення їх оптичних, механічних та сцинтиляційних характеристик;



Основні результати


1. Стабільність теплових умов кристалізації із розплаву в залежності від складу атмосфери вирощування

Проведені теоретичні та експериментальні дослідження впливу складу ростової атмосфери на теплові умови отримання великогабаритних галоїдних CsI(Na) та оксидних монокристалів (BGO, сапфір) із розплаву.

Зокрема, методами теоретичного моделювання були визначені характеристики теплопереносу при вирощуванні кристалів CsI(Na) діаметром 300–315 мм методом Чохральського-Кіропулоса з підживленням розплаву (рис. 1). Використана теоретична модель включає одночасний аналіз теплопереносу, конвективних потоків в газі та розплаві всередині ростової установки, а також враховує випромінювальний теплоперенос в напівпрозорому середовищі кристалу та розплаву.

Дані моделювання погоджуються з експериментально підтвердженим ефектом різкого зростання тепловідводу від кристалу при його виході із тиглю (висота циліндру – 40 – 60 мм), що супроводжується формуванням включень газової фази. Такий комбінований підхід може використовуватись для оптимізації конструкції установки для запобігання різких змін умов кристалізації.

Показано, що зміна складу газового середовища дозволяє ефективно керувати формою фронту кристалізації (ФК) при вирощуванні великогабаритних лужно-галоїдних кристалів за допомогою варіювання товщини конденсату розплаву, що формує теплоізолюючий шар на поверхні кристалу. Встановлено, що в атмосфері Ar спостерігається найбільший тепловідвід від кристалу при найменшій кількості конденсату на його поверхні, що призводить до сильного занурення фронту та формування макродефектів в кристалі. При вирощування в атмосфері He результат виявився протилежним, а фронт – надто пласким. Оптимальним складом атмосфери виявилася суміш Ar+He 1:2.5, при якому спостерігається найменша кількість макродефектів в об’ємі кристалу.





Рис. 1. Глобальний розподіл температури в печі та форма конвективних потоків в газі та розплаві при вирощуванні CsI(Na). Середовище вирощування – Ar.


Розроблений метод отримання монокристалів BGO вагою 5.5 кг та довжиною більше 130 мм з розплаву за класичним методом Чохральського з використанням оптимізованої ростової атмосфери Ar+O2 із співвідношенням 97:3.

Використання оптимізованої ростової атмосфери, разом із вдосконаленням інших технологічних режимів процесу дозволили зменшити глибину занурення ФК до розплаву, покращити тепловідвід від кристалу при падінні рівня розплаву, і зменшити дефектну частину зливків. Плаский ФК дозволяє вирощувати якісні монокристали з діаметром до 85% від діаметру тигля, знизити непродуктивний час при вирощуванні кристалів і вибирати практично всю сировину (95 - 97% маси) з тигля, при цьому якісна частина кристалів становить близько 70 % від маси завантаження сировини, що є рекордним показником при отриманні даного класу матеріалів класичним методом Чохральського. Використання оптимізованого методу отримання забезпечує істотне зниження собівартості вирощуваних кристалів і збільшення в 2 - 3 рази терміну служби тиглів.




Рис. 2. Глибина занурення фронту кристалізації та кількість конденсату розплаву на одиницю площі на поверхні кристалів CsI(Na) при різних складах ростової атмосфери. Висота циліндричної частини кристалу – 60 мм.


Розглянуті варіанти захисту поверхні елементів теплового вузла від руйнування при вирощуванні монокристалів сапфіру із розплаву. Показана можливість повного відновлення геометричних та електрофізичних параметрів теплового вузла із використанням радіального газофазового синтезу, що дозволило зменшити руйнування поверхні вузла та, відповідно, концентрацію вільного вуглецю в кристалізаційний камері. В результаті знижено забруднення розплаву, зменшена його розстехіометрія, ступінь дисоціації та газонасиченість, що дозволило збільшити строк служби устаткування вдвічі та покращити якість кристалів.


2. Природа впливу газового середовища на стехіометрію розплаву та морфологію отримуваних кристалів

Склад газового середовища може істотно впливати на стехіометрію розплавів при отриманні кристалів складних сполук, прикладами яких є BGO та GSO:Ce. Розглянуто проблеми отримання кристалів BGO та корунду заданої морфології в різних ростових середовищах. Зокрема, досліджена структурна досконалість зони зміни профілю кристала корунду від технологічних параметрів вирощування методом Степанова. Розроблений спосіб отримання сапфірових профілів змінного перетину оптичної якості. Найбільш якісні кристали отримані при використанні формоутворювача з увігнутою формуючою поверхнею та кутом розрощування перехідної зони α - 50о-60о. Отримані зразки сапфірових тиглів з оптично прозорим дном.

Було показано, що для кристалів BGO, вирощених за методом Чохральського, типовими дефектами, що впливають на морфологію отримуваних кристалів, окрім спірального та гвинтового росту, є вертикальні поглиблення на поверхні кристалу (рис. 3). Встановлено, що склад середовища впливає на характер дефектів поверхні. За допомогою мас-спектрометричних та хроматографічних досліджень газових порожнин в закристалізованому розплаві BGO показано, що при використанні атмосфери повітря вони містять азот та кисень.

Запропонований механізм, згідно із яким, коли середовище вирощування збіднене на кисень (< 0,5%), концентрація Bi2GeO5 в розплаві стрімко зростає, що призводить до захоплення метастабільної фази у вигляді поверхневих включень. Метастабільна фаза, що формується, разом із зниженням вісьового градієнту на ФК, призводять до виникнення чарункової морфології фронту. Підвищена концентрація домішок в улоговинах чарунок на краю вирощуваного кристалу блокує його ріст і формує вертикальні поглиблення на його бічній поверхні. В процесі вирощування вісьовий градієнт постійно зменшується, а концентрація домішок збільшується, що призводить до збільшення глибини дефектів від 0,5 мм до 5 мм. Постійний крок (250 мкм) між вертикальними улоговинами (див рис. 3а) свідчить про розмір чарунок на ФК, а їх паралельність – про стабільну морфологію ФК в процесі вирощування. При формуванні блоків у кристалі відбувається зсув чарунок ФК і лінії улоговин стають непаралельними.





а б


Рис. 3. Мікроскопічна фотографія морфології бічної поверхні кристалу BGO (а – випадок стабільної морфології ФК, б – випадок нестабільної морфології ФК).


Для виключення із атмосфери кисню і азоту в якості основного компоненту середовища був вибраний інертний аргон. Кисень не може бути повністю виключений із середовища вирощування, тому що відбувається випаровування оксиду вісмуту та зсув складу розплаву від стехіометричного. Показано, що вирощування в середовищі, що містить 97% Ar + 3% O2, дозволяє значно знизити вірогідність формування газових включень в кристалах, і значно підвищити вихід якісних кристалів (Табл. 1). Показано, що середовище складу Ar:He:O2=92:7:1 дозволяє вирощувати кристали практично без газових включень. Такі кристали мають найменший ступінь радіаційного забарвлення та не містять включень на поверхні.


Таблиця 1. Порівняльний аналіз кристалів BGO в залежності від складу середовища отримання.

Середовище

Світловий ввихід, відн.од.

Амплітудна

роздільча здатність, %

Брак, %

Повітря

1

10-13

30-50

Ar (N) + 10-6–1 % об. О2

1

10-13

40-55

Ar:He:O2=92:7:1

1.2

9.5-10.5

< 5


3. Модифікація властивостей поверхні та об’єму оксидних монокристалів під дією середовища отримання

Проведено дослідження впливу азотовмісного відновного середовища на структурні та оптичні властивості монокристалів сапфіру. Вперше визначено активну взаємодію азоту у відновних умовах з розплавом сапфіру та сапфіром у твердій фазі. Показано можливість трансформації поверхневого шару сапфіру при відпалі у азотовмісних відновних середовищах у фази оксинітриду та нітриду алюмінію.

Проведено розрахунки для всіх можливих реакцій та показано, що в системі сапфір – графіт – монооксид вуглецю – азот в залежності від відновного потенціалу атмосфери та тиску азоту можливі процеси термохімічного травлення сапфіру, розчинення азоту в сапфірі та формування сполук AlON та AlN.

Встановлено, що при вирощуванні з розплаву або відпалі сапфіру у відновних умовах навіть невелика кількість азоту у середовищі приводить до значних змін спектру поглинання сапфіру зі збільшенням концентрації F+ - центрів та появою додаткових центрів забарвлення в області 300-400 нм (рис. 4). Встановлено кореляцію між концентрацією F+-центрів в кристалі та концентрацією азоту в середовищі вирощування та відпалу. Із збільшенням відновного потенціалу середовища при постійному вмісті азоту концентрація F+- центрів збільшується. На підставі цього стверджується, що ступінь розчинення азоту у розплаві безпосередньо залежить від відновного потенціалу середовища. Спектри поглинання кристалів сапфіру, вирощених та відпалених у відновних середовищах, що містять азот, є подібними, що свідчить про однаковий характер взаємодії азоту з сапфіром як у розплаві, так і у твердій фазі.



Рис. 4 Спектри поглинання сапфіру, що було вирощено у відновних середовищах: a - Ar,

b - Ar + 1% N2 + CO 0.05%, с - Ar + 10% N2 + 0.05% CO, d - N2 + 0.05% CO, e - N2 + 0.7% CO.


Запропоновано механізм, згідно з яким збільшення концентрації F+-центрів в кристалах сапфіру, вирощених або відпалених у середовищах, що містять азот, пов’язані з розчиненням в аніондефектному корунді азоту з формуванням хімічних зв’язків, який у сполуці з алюмінієм демонструє валентність N3- та здатен перерозподіляти заряд між F- та F+-центрами за схемою:


Vo2+ + 2e- + N = Vo2+ + N2- (компенсація F-центру),


Vo2+ + 2e- + N2- = Vo2+ + e- + N3- (виникнення F+-центру).


При відпалі сапфіру в діапазоні температур від 1300 до 1950 ºC у азотовмісному відновному середовищі отримано трансформацію поверхневого шару сапфіру у фази оксинітріду та нітриду алюмінію. Визначено твердофазний механізм формування шару AlN на поверхні сапфіру, що включає декілька стадій: утворення високої концентрації аніонних вакансій в поверхневому шарі корунду, насичення його азотом по вакансійному механізму із формуванням твердого розчину, при досягненні в локальному об’ємі певної критичної концентрації азоту – розпад перенасиченого розчину з виділенням зародків фаз (AlON, AlN).

4. Керування зарядовим станом активатору та рівномірністю його розподілу в великогабаритних кристалах

Рівномірність характеристик по об’єму великогабаритних активованих монокристалів (CsI(Na), NaI(Tl), GSO:Ce) напряму залежить від розподілу активаторних іонів в них. Експериментально показана кореляція між концентрацією кисню в середовищ вирощування та коефіцієнтом входження іонів Се3+ при отриманні великогабаритних кристалів GSO:Ce діаметром 50 мм та висотою циліндричної частини 150 мм (рис. 5). Зокрема, при вирощуванні кристалів GSO:Ce необхідним є контроль парціального тиску кисню в газовому середовищі, допустима кількість якого складає 0.3 % об. При перевищенні цієї величини відбувається забарвлення кристалу внаслідок зміни зарядового складу активатора Се3+ → Се4+. Окрім того, збільшення вмісту кисню в розплаві за рахунок його дифузії із газового середовища підвищує вірогідність формування дефектів у вигляді паразитних фаз (згідно із діаграмою стану Gd2O3 – SiO2).



Рис. 5. Динаміка зміни концентрації кисню в газовому середовищі Ar+O2 та коефіцієнту сегрегації Се3+ уздовж кристалу при вирощуванні GSO:Се методом Чохральського (1 – розрахована концентрація Се3+, 2 – виміряна концентрація Се3+, 3 – виміряна концентрація кисню в атмосфері).


Проведені експерименти підтверджують зворотність вектору дифузії кисню в системі „розплав – газове середовище” під час процесу вирощування. Даний ефект свідчить про те, що стехіометрія GSO по кисню при вирощуванні змінюється, і параметри кристалічної гратки вздовж кристалу є неоднаковими за рахунок зміни кількості кисневих вакансій. Результатом таких змін може стати поява напружень в кристалі, що призводять до формування тріщин (в даному випадку це є області кристалу прилеглі до верхнього та нижнього конусів.

Запропоновано механізм кореляції між коефіцієнтом входження церію k0(Ce3+) та парціальним тиском кисню Ро2. При зниженні температури розплаву відбувається дифузія кисню із газової атмосфери до розплаву, доки не уториться рівновага між тиском кисню в середовищі та його парціальним тиском над розплавом. Сформований надлишок кисню в розплаві призводить до зменшення кількості кисневих вакансій в кристалі, що погіршує узгодження розмірів порожнин координаційних поліедрів з іонами Се3+, які мають великий іонний радіус, та призводить до зниження k0. При підвищенні температури розплаву має місце зворотній ефект, що призводить до зростання коефіцієнту входження. Також із збільшенням вмісту кисню в розплаві k0 може знижуватись за рахунок переходу церію в стан Ce4+.

Таким чином, встановлено, що при вирощуванні кристалів GSO:Се відбувається зміна напрямку вектору дифузії кисню в системі розплав – атмосфера вирощування. Показаний взаємозв’язок між вмістом кисню в газовій атмосфері вирощування та концентрацією Се3+ у вирощеному кристалі. Проведені дослідження свідчать про те, що при вирішенні завдання отримання кристалу із відтворюваними функціональними характеристиками є необхідним врахування складу газової атмосфери вирощування та відпалу, зокрема, для кристалів GSO:Се ключовим параметром є парціальна доля кисню.


Висновки


1. В циклі робіт розглянуто основні фактори впливу атмосфери вирощування та відпалу на особливості отримання та функціональні характеристики ряду оксидних та галоїдних монокристалів;

2. Показано, що для галоїдних кристалів, окрім раніше з’ясованої необхідності підтримання низького рівня домішок, що вміщують кисень, важливим є вибір співвідношення інертних газів в атмосфері для забезпечення стабільності умов кристалізації;

3. Для оксидних матеріалів ключовим є контроль над вмістом кисню в атмосфері вирощування та відпалу, що дозволяє регулювати кількість кисневих вакансій в кристалах та зарядовий стан активаторів. Вибір співвідношення інертних газів (Ar, He, N) при отриманні оксидних кристалів (сапфір, BGO) також дозволяє суттєво впливати на їх оптичні та сцинтиляційні характеристики;

4. Наукові результати даного циклу робіт дозволили на практиці оптимізувати методи отримання оксидних та галоїдних монокристалів. Як наслідок, були отримані кристали із меншим вмістом структурних дефектів, кращою морфологією, рівномірністю оптичних та сцинтиляційних властивостей по об’єму, гарною відтворюваністю результатів. Виконані поставки монокристалів сапфіру, CsI(Na), BGO, GSO:Ce та елементів з них на загальну суму більше 5 мільйонів гривень.

Скачать, 168.29kb.
Поиск по сайту:

Добавить текст на свой сайт
Загрузка...


База данных защищена авторским правом ©ДуГендокс 2000-2014
При копировании материала укажите ссылку
наши контакты
DoGendocs.ru
Рейтинг@Mail.ru